Генератор с последовательным LC-контуром

Привет Александр!
1) сх. в посте № 38 = трактуется так :
а) т2=ОЭ + комплементарный УМЗЧ (двухтактный ОК = т3+т4)
б) R7= ПОС по току нагрузки этого умз-я
/вполне вероятно работает САМОСТОЯТЕЛЬНО, при замыкании верхней обкладки С3 на массу))/
в) т1+его обвязка = элементЫ перестройки частоты, и эта частота НЕ обязятельно равна резонансной
для С8+*катушка* ((

2) первоначальная твоя схема /пост №1/ = ПОХОЖА на стандартный видеоусь от цветного ТВ
( зырь блоки цветности на К174ХА17 / ха31 / TDA3505 )

Кста, в начале 70-х , какой-то *буржуй* целую книжонку звуковых усей по этОЙ схеме издал...
/главное преимущество = одинаковая проводимость вых. транзюков,+ искажения меньше 0,7 % выдавали.. )) /

3) Но ежели тебе главная цель = генератор на ИНДУКТИВНОСТИ сбацать ; то шарь схемотехнику
*Безтрансформаторных ГСП* ! )) /На излёте мафонной техники НАШИ поднаторели в них )))/

Кста-2 Есть несколько простых + посложнее с м/сх КМОП серии...
/Видел на сайтике каком-то,в разделе *генераторов*; когда гуглил *квадратурный генератор*/

Не согласен. Т1 - "управляемое сопротивление", нужное для стабилизации выходного уровня, работающее от детектора и регулирующее ООС, поступающую на базу. Согласен, штука не важная, нужная только для этого и предупреждения искажений.

www.chipdip.ru/video/id000299908/

На эти программы ссылаться нельзя. Не верю ему. Видел, как комментируя одну схему, он трепал жуткую лабуду, с самым серьёзным видом.

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом[2] — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например n-типа (Рис. 1), имеет на противоположных концах электроды (сток и исток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Управляющая цепь подключается к третьему электроду (затвору) и образуется областью с другим типом проводимости, в данном случае p-типом.

Источник питания, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемых колебаний. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя (n-канал), то есть площадь поперечного сечения области, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

Электроды полевого транзистора имеют следующие названия:

исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Проводимость канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярность напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, вследствие чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток в канале транзистора станет весьма малым. В связи с незначительностью обратных токов p-n-перехода, мощность источника сигнала ничтожно мала.

Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. При этом существуют и отличия, например:

в транзисторе отсутствует катод, который требует подогрева;
любую из функций истока и стока может выполнять любой из этих электродов;
существуют полевые транзисторы как с n-каналом, так и с p-каналом, что используется при производстве комплементарных пар транзисторов.

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низким уровнем шума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть отделён от поверхности полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов.
(Википедия)

Короче, в полевом транзисторе входное напряжение регулирует сопротивление канала.